复合三相端口与扩展三相端口的比较。第一电路显示配置有复合三相端口的电压源。Phase Splitter块提供到Simscape™基础库电气元素的接口。第二电路显示了配置有可直接连接到Simscape基础库电气元件的扩展三相端口的电压源。通过使用建模选项掩码参数，电压源可以从复合三相端口更改为扩展三相端口。

如何使用可控PWM电压和h桥模块来控制电机。直流电机块使用制造商数据表参数，其中指定电机在2500转/分时提供10W机械功率，空载转速为4000转/分，当从12V直流电源运行时。因此，如果PWM参考电压被设置为其最大值+5V，那么电机应该以4000转/分运行。如果它被设置为+2.5V，那么它应该运行在大约2000 rpm。对于受控PWM电压和h桥模块，仿真模型参数设置为平均，从而实现快速仿真。为了验证平均行为，将两个块的仿真模式参数更改为PWM。

使用两个运算放大器的三角波发生器电路的实现。电路的第一级是由运放构成的比较器。比较器的输出被两个齐纳二极管限制在大约正负5伏。齐纳二极管施加的极限导致了方波。

用于A-to-D转换器的抗混叠滤波器的模拟实现。滤波器截止频率设置为500Hz，以匹配1kHz的a - d转换器采样频率。测试信号包含所需的50Hz正弦信号加上1100Hz的更高频率成分，而1kHz a -to- d采样频率无法捕获该频率成分。该范围显示捕获的信号没有和抗锯齿。使用反混叠滤波器，50Hz正弦波振幅被正确测量，振幅为1，对应功率为0.5W，即1欧姆参考负载为27dBm。

控制四象限直升机。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。一个平均值的斩波模型被用来加速模拟。模拟使用了正引用和负引用。总模拟时间(t)为1 s。在t = 0.5 s时，负载直流源E的极性发生变化。

控制降压变换器的输出电压。为了调节占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。在整个模拟过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间(t)为0.25秒。当t = 0.15秒时，负载发生变化。

利用永磁同步电机(PMSM)来放大驾驶员在助力汽车转向系统中的施加力。

如何利用一个简单的代表性模型来探索旋转能量清道夫的性能。电能是由附在直流电动机轴上的偏心质量产生的。质量、几何形状、电机和电气参数必须与预期的机械激励相匹配。产生的电能小于提取的机械功率主要是由于电机绕组损耗和转子的粘性阻尼。这个例子基于Nunna, K。“基于应用的建设性互连和阻尼分配被动控制”，伦敦帝国理工学院(2014)。这里的模型简化了，省略了DC-DC变换器。

在绝缘栅双极晶体管(IGBT)中，基于开关和传导损耗的温度分布的产生。有两个buck转换器。对于一个转换器，IGBT连接到福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT附加到一个Cauer热模型。热模型的参数经过调整，得到大致相同的结果。仿真时间为50ms时，驱动频率由40kHz变为20kHz，增大了传导损耗，降低了开关损耗。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

自定义与频率相关的传输线模型。首先从与频率相关的电阻、电抗和电纳导出了特性导纳和传播函数。用射频工具箱拟合得到的值。然后根据拟合的参数在Simscape中实现了通用线模型[1]。比较了频率相关传输线模型和经典的pi截面传输线模型的计算结果。

在绝缘栅双极晶体管(IGBT)中，基于开关和传导损耗的温度分布的产生。有两个buck转换器。对于一个转换器，IGBT连接到福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT附加到一个Cauer热模型。热模型的参数经过调整，得到大致相同的结果。仿真时间为50ms时，驱动频率由40kHz变为20kHz，增大了传导损耗，降低了开关损耗。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

在冷却模式下工作的Peltier设备，热侧温度为50℃。在冷却模式下，Peltier电池的性能系数(COP)等于通过热电冷却器(TEC)传递的总热量除以输入电功率，COP = Qc/Pin。

通过在磁路中使用非线性磁阻块建模一个显示滞后的自定义变压器。变压器额定负载为50W，有效值从120V降至12V。用涡流损耗块在磁畴内模拟磁化电阻Rm。

一种脉冲宽度调制(PWM)输出，使用555定时器在稳定模式下实现。占空比由电位器P1设定。电位器在运行期间通过占空比控制旋钮控制。作用域显示来自555 Timer的结果输出。要结束模拟，请单击Stop按钮。