如何刺激阴影部分阴影的影响在电流-电压和p - v特性?
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嗨
我有matlab代码绘制电流-电压和p - v曲线。这段代码运行正确。现在我应该显示阴影部分电流-电压和p - v曲线的影响。我不知道如何添加阴影部分我应该使用这个代码和命令。我有十个模块串联其中九完全辐照度(S = 1, 1000 w / m2),其中一个(S = 0.5,500w / m2)。这是我的matlab代码。如何将这十个模块添加到这个代码吗?
我将感激如果你能帮助我。
清除所有;关闭所有clc
% %光伏面板使用单个二极管模型的描述
它=输入(输入曲线你的目标是情节的数量:1、2…N:”);
为N = 1:;
% %光伏模块的数据
T =输入(输入值(T)在C:”);
% celle en C的温度
G =输入(输入值的太阳辐照度在W / m2:”);
%太阳能辐照度在W / m2
ai = 0.034/100;
%光照度当前系数(吻)
av = -0.34/100;
%光照度电压系数(kv)
Isc_r = 5.3;
%短路电流
Voc_r = 44.2;
% Opent电路电压
Vm = 36;
% @ STC最大电压
我= 4.87;
%最大电流@失学
点= 175;
%最大功率
@ STC
Ns = 72;
%号码的细胞
n = 1.3;
%二极管理想因素
内部参数% % % % % % % % % % % % % % %
Gr = 1000;
%参考辐照度
T = T + 273.6;
%
Tr = 25 + 273.6;
%温度参考
dT = T-Tr;
Isc = Isc_r + ai * dT;
% Isc与T的变化
Voc = Voc_r + av * dT;
% de Vco变化和T
q = 1.60217646 * (-19);
%收取常数
K = 1.3806503 * (-23);
%玻耳兹曼常量
Vt = (Ns * n * K * T / q);
%热电压
如= 1.12;
%差距能源
Iph = Isc * (G / Gr);
% photo-current
Iss = (Isc) / (
exp (Voc / Vt) 1);
%饱和电流
是= Iss * ((T / Tr) ^ 3) * exp (((q *如)/ (n * K)) * ((1 / Tr) - (1 / T))); %饱和电流吗
Rs = 0.2;
%串联电阻
Rp = 230;
% parallele阻力
% %
我= Iph;
%初始codition
V = 0: (Voc / 100):挥发性有机化合物;%数组输入电压
n1 = 1:长度(V)
n2 = 1:20
%计算牛顿迭代循环输出电流
Vd = (V (n1) + Rs *我);
%二极管电压
Id = * (exp (Vd / Vt) 1);
%二极管电流
Ip = Vd / Rp;
% Parallele电阻电流
f = Iph-I-Id-Ip;
% f (I) = 0
df = 1 - (* Rs / Vt) * exp (Vd / Vt) - (Rs / Rp);% f ' (I) = 0
我=如果/ df; %牛顿迭代公式
%的牛顿迭代结束
如果我< 0
我= 0;
结束
Ipv (n1) =我;
%的积累输出醋栗
结束
% %
P = Ipv。* V; %输出功率
图(1)
抓住
情节(V, Ipv,“线宽”,N) %
网格
图(2)
情节(V P“线宽”,N) %
抓住
网格
结束
