半导体
分立的半导体器件,如二极管和晶体管
使用分立半导体器件转换和整流电源。
Simscape块
限流器 | 限流器的行为模型 |
二极管 | 分段或指数二极管 |
门驱动器 | 门驱动集成电路的行为模型 |
矩形脉冲断开 | 门关断晶闸管 |
网格状的司机 | 半桥驱动集成电路行为模型 |
网格状的(理想,切换) | 半桥,具有理想的开关和热端口 |
理想的半导体开关 | 理想的半导体开关 |
IGBT(理想,切换) | 用于开关应用的理想绝缘栅双极晶体管 |
MOSFET(理想,切换) | 理想的n通道MOSFET开关应用 |
n沟道IGBT | n通道绝缘栅双极晶体管 |
n沟道JFET | n通道结场效应晶体管 |
n沟道LDMOS场效应晶体管 | 适用于高电压的n通道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管 |
n沟道MOSFET | 使用Shichman-Hodges方程或基于表面电位的模型的n通道金属氧化物半导体场效应晶体管 |
NPN双极型晶体管 | 使用增强Ebers-Moll方程的NPN双极晶体管 |
光耦合器 | 光耦合器作为LED、电流传感器和可控电流源的行为模型 |
p沟道JFET | p通道结场效应晶体管 |
p沟道LDMOS场效应晶体管 | 适用于高电压的p通道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管 |
p沟道MOSFET | p通道金属氧化物半导体场效应晶体管使用的是Shichman-Hodges方程或基于表面电位的模型 |
PNP型双极型晶体管 | 使用增强的Ebers-Moll方程的PNP双极晶体管 |
SPICE-Imported MOSFET | 由外部SPICE子电路参数化的预定义MOSFET |
晶闸管 | 使用NPN和PNP晶体管的可控硅 |
晶闸管(分段线性) | 晶闸管 |
功能
ee_getEfficiency |
计算效率作为耗散功率损失的函数 |
ee_getPowerLossSummary |
计算损耗功率和开关损耗 |
ee_getPowerLossTimeSeries |
计算功率损耗和开关损耗,返回时间序列数据 |
主题
- 参数化数据表中的块
用于指定块参数以匹配来自制造商数据表的数据的技术概述。
- 从数据表中参数化分段线性二极管模型
指定分段线性二极管的块参数,以匹配来自制造商数据表的数据。
- 从数据表中参数化指数二极管
为指数型二极管指定块参数,以匹配来自制造商数据表的数据。
- 从SPICE网表参数化一个指数二极管
指定指数二极管的块参数以匹配SPICE网列表数据。
- 模拟半导体的热效应
通过热接口模拟产生的热量和设备温度。
- 绘制半导体块的基本特征图
根据块参数值绘制半导体器件模型的I-V曲线。
- MOSFET特征查看器
根据指定的参数值验证MOSFET模型行为。